9月16日，美国加州圣克拉拉举行AI基础设施峰会。三星电子宣布推出下一代AI内存zHBM，目标将AI加速器响应速度提升10倍，实现每秒处理1000词元。该技术采用HBM垂直堆叠于加速器上的架构，性能达HBM5的8倍、能效达3倍。公司计划2028年起提供zNAND-O三维存储样品。同期，CXL内存互连技术遭OpenAI及英特尔专家质疑其在AI模型运行中的实用性，难替代HBM。